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          什么是晶圓缺陷檢測設(shè)備?

          發(fā)布時(shí)間:2023-07-26 點(diǎn)擊量:2705

          什么是晶圓缺陷檢測設(shè)備?

          晶圓缺陷檢測設(shè)備檢測晶圓上的異物和圖案缺陷,并確定缺陷的位置坐標(biāo)(X,Y)。
          缺陷包括隨機(jī)缺陷和系統(tǒng)缺陷。
          隨機(jī)缺陷主要是由異物粘附等引起的。 因此,無法預(yù)測它將在哪里發(fā)生。 檢測晶圓上的缺陷并定位它們(位置坐標(biāo))是檢測設(shè)備的主要作用。
          另一方面,系統(tǒng)缺陷是由掩模或暴露工藝條件引起的,并且可能發(fā)生在所有轉(zhuǎn)移芯片的電路模式中的同一點(diǎn)。
          曝光條件非常困難,并且它們發(fā)生在需要微調(diào)的地方。
          晶圓缺陷檢測設(shè)備通過將圖像與附近芯片的電路模式進(jìn)行比較來檢測缺陷。 因此,傳統(tǒng)的晶圓缺陷檢測設(shè)備可能無法檢測到系統(tǒng)缺陷。
          可以在圖案化工藝晶圓或鏡面晶圓上進(jìn)行檢測。 對(duì)于它們中的每一個(gè),設(shè)備的配置都是不同的。 典型的檢測設(shè)備如下所述。

          缺陷檢測原理

          圖案化晶圓檢測系統(tǒng)

          圖案化晶圓檢測設(shè)備包括SEM檢測設(shè)備、明場檢測設(shè)備和暗場檢測設(shè)備。 它們各有各的特點(diǎn),但基本的缺陷檢測原理是相同的。
          半導(dǎo)體
          晶圓與具有相同圖案的電子設(shè)備并排制造。
          隨機(jī)缺陷通常是由異物等碎屑引起的,顧名思義,它們發(fā)生在
          晶圓上未定的(隨機(jī))位置。 在特定位置重復(fù)發(fā)生的概率被認(rèn)為非常低。 因此,缺陷檢測設(shè)備通過比較相鄰芯片(也稱為芯片)的圖案圖像并取差異來檢測缺陷。

          圖案化晶圓缺陷檢測原理
          圖5-1 圖案化晶圓缺陷檢測原理

          圖5-1說明了圖案化晶圓上的缺陷檢測原理。
          電子束和光沿
          芯片陣列捕獲晶圓上圖案的圖像。 為了使缺陷檢查裝置檢測缺陷,請(qǐng)將要檢查的模具的圖像(1)與相鄰模具(2)的圖像進(jìn)行比較。
          當(dāng)圖像經(jīng)過數(shù)字處理和減去時(shí),如果根本沒有缺陷,則減法為“0",未檢測到缺陷。 另一方面,如圖所示,在減去(2)中的
          模具圖像有缺陷后,缺陷的圖像保留在差分圖像(3)中。 然后,缺陷檢查器檢測到缺陷,并將其與其位置坐標(biāo)進(jìn)行登記。

          無圖案晶圓檢測系統(tǒng)

          無圖案圓檢測系統(tǒng)設(shè)計(jì)用于晶圓制造商的晶圓出貨檢驗(yàn)、設(shè)備制造商的晶圓驗(yàn)收檢驗(yàn)以及設(shè)備清潔度監(jiān)測。它用于設(shè)備狀態(tài)檢查等。 設(shè)備狀況檢查還用于設(shè)備制造商的運(yùn)輸檢查和設(shè)備制造商在交付設(shè)備時(shí)的驗(yàn)收檢查。
          將用于清潔監(jiān)測的鏡面晶片裝入制造設(shè)備,在設(shè)備中移動(dòng)載物臺(tái)后,監(jiān)測異物程度并檢查設(shè)備的清潔度。

          ベアウェーハの欠陥検出の原理(1):ウェーハ上全面にレーザービームを照射
          圖5-2 無圖案晶圓缺陷檢測原理(1)

          圖5-2顯示了無圖案晶圓的缺陷檢測原理。
          在沒有圖案的情況下,直接檢測缺陷,無需任何特定的圖像比較。
          激光束照射在旋轉(zhuǎn)晶
          上并沿徑向移動(dòng)(相對(duì))以照射晶片的整個(gè)表面。

          ベアウェーハの欠陥検出の原理(2):レーザー光線が異物/欠陥に當(dāng)たって生じる散亂光を検出器が検出
          圖5-3 無圖案晶圓缺陷檢測原理(2)

          當(dāng)晶圓旋轉(zhuǎn)并且激光束擊中異物/缺陷時(shí),光被散射,散射光被檢測器檢測到。 這將檢測異物/缺陷。 根據(jù)晶圓的旋轉(zhuǎn)角度和激光束的徑向位置,確定并記錄異物/缺陷的坐標(biāo)位置。
          面晶圓上的缺陷不僅是異物,還有COP等晶體缺陷。

          一般來說,明場檢測設(shè)備適用于圖案缺陷的詳細(xì)檢測,而暗場檢測設(shè)備可以高速檢測,適用于許多晶圓的缺陷檢測。

          SEM視覺檢測設(shè)備在晶圓表面上照射電子束,以檢測發(fā)射的二次電子和背散射電子。
          SEM視覺檢查系統(tǒng)還檢測以圖像對(duì)比度(電壓對(duì)比度)形式發(fā)射的二次電子量,該量根據(jù)設(shè)備內(nèi)部布線的傳導(dǎo)狀態(tài)而變化。 當(dāng)檢測高縱橫比接觸孔底部的連續(xù)性條件時(shí),可以檢測到超薄的SiO2殘留物。

          コンタクトホール底の殘さ検出例
          圖5-4 接觸孔底部殘留物檢測示例

          產(chǎn)品介紹

          介紹我們的缺陷審查SEM和晶圓檢測設(shè)備陣容。

          電子鏡面檢測系統(tǒng) 米瑞利斯VM1000

          Mirelis VM1000電子米勒可無損檢測晶體缺陷,例如SiC塊晶圓上的加工損壞以及外延晶片上的層壓缺陷和基底面位錯(cuò)。

          晶圓表面檢測系統(tǒng)LS系列

          下一代晶圓表面檢測系統(tǒng),以高靈敏度檢測無圖案晶圓上的微小污染物和缺陷

          暗場晶圓缺陷檢測系統(tǒng) DI4200

          通過高靈敏度檢測和高通量檢測實(shí)現(xiàn)高速產(chǎn)品監(jiān)控。 這是有助于提高良率和降低生產(chǎn)成本的下一代暗場晶圓缺陷檢測系統(tǒng)。



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